mercoledì 27 aprile 2016

AMD e le nuove Console Next-Gen

Lisa Su, CEO di AMD, conferma che l'azienda implementerà proprie tecnologie all'interno di tre console di prossima generazione attese al debutto in tempi relativamente brevi.


Non sono trapelati ulteriori dettagli ma, considerando come questi tre prodotti si andranno ad affiancare alle soluzioni che già AMD ora sviluppa per il mercato delle console,  non è difficile fare qualche supposizione.

La prima è il riferimento a Sony Playstation Neo, nome che attualmente identifica la prossima evoluzione della piattaforma Playstation 4 di Sony con la quale l'azienda giapponese intende incrementare la potenza di elaborazione così da rendere Playstation maggiormente adatta all'utilizzo con display 4K oltre che con visori VR.

Per questo prodotto ci si attende l'utilizzo di un chip che integri componente CPU con 8 core Jaguar di AMD, caratterizzati da una frequenza di clock più elevata rispetto a quella attuale, accanto ad una nuova GPU presumibilmente basata su architettura della famiglia Polaris.

Guardando al futuro è presumibilmente che AMD sia coinvolta anche nei nuovi progetti di Nintendo e Microsoft; per la seconda potrebbe trattarsi di una evoluzione della piattaforma Xbox, anche in questo caso sviluppata per assicurare prestazioni velocistiche più elevate nell'ottica della realtà virtuale e dei nuovi display ad elevata risoluzione. Per la prima, invece, il riferimento è alla console Nintendo NX anche in versione portatile.

Questo rappresenterebbe per AMD un business valutato in circa 1,5 miliardi di dollari di fatturato, da dilazionare nel periodo di produzione di queste nuove console. Numeri interessanti per l'azienda americana che conferma gli sforzi nella direzione di sviluppare un business alternativo a quello delle soluzioni per PC tradizionali, così da meglio diversificare i canali di vendita.
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martedì 19 aprile 2016

Russia, USA e Svizzera verso le Memorie Universali

Un progetto di ricerca collaborativa tra il Moscow Institute of Physics and Technology, l'University of Nebraska e l'Università di Losanna ha permesso di far sviluppare una pellicola ultrasottile ferroelettrici su silicio, preparando il terreno alla realizzazione di un materiale adatto alla costruzione di una memoria universale non volatile e per i memristori che possono essere impiegati per la costruzione dei sistemi cognitivi neuromorfici del futuro.


La ricerca di una memoria universale che sostituisca DRAM, SRAM, memorie flash e hard disk è una missione che impegna molti ricercatori a livello mondiale.

Questo particolare progetto si differenzia dai molti altri per il vantaggio di poter realizzare la pellicola ferroelettrica usando strumenti convenzionali, comunemente impiegati nella produzione di componenti elettronici. 

La differenza tra il nostro approccio e altri tentativi di crescere pellicole ultrasottili ferroelettriche, in particolare sul silicio, è che possiamo crescere pellicole di una lega ossida di hafnio e zirconio policristallina (invece che epitassiale) che mantiene le proprietà ferroelettriche fino ad uno spessore inferiore i tre manometri

a spiegato Andrei Zenkevich, responsabile del laboratorio Functional Material and Devices del MIPT. 

La possibilità di rendere questo materiale ferroelettrico compatibile con i substrati di silicio permette di utilizzare i ben collaudati strumenti di produzione CMOS per realizzare giunzioni ad effetto tunnel usando il materiale ferroelettrico.

Usiamo la tecnica Atomic Layer Deposition e usiamo cicli alternati di precursori di hafnio e zirconio, combinati con acqua per crescere un ossido amorfo di hafnio e zirconio con una composizione predefinita

ha proseguito Zenkevich. 

Fino ad ora i ricercatori hanno dimostrato solamente la possibilità di fabbricare e caratterizzare il materiale: il prossimo passo riguarda la costruzione di prototipi da usare per dimostrare che l'effetto tunnel possa essere usato per i chip di memoria reale, a fronte di una teoria già comprovata.

I bit di informazione vengono conservati tramite l'inversione della polarizzazione attraverso lo strato di hafnio-zirconio, che avviene facendo passare attraverso lo strato una corrente nella giusta direzione. 

Il motivo per il quale le giunzioni ad effetto tunnel con un materiale ferrolettrico possano portare ad un tipo di memoria universale è che esse sono molto piccole e possono mantenere il loro valore senza la necessità di consumare enrgia, unitamente al vantaggio di poter essere prodotti con strumenti CMOS convenzionali e di una possibile scalabilità al pari di altri componenti CMOS. 

Saranno necessari ancora diversi anni per confermare tutte queste ipotesi, e per quel tempo si sarà già entrati nell'era del computing cognitivo, dove l'ossido di hafnio-zirconio potrebbe essere il cuore dell'elemento memoria delle sinapsi neuromorfiche.
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lunedì 4 aprile 2016

Cosa ha spinto Foxconn nell'acquisto di Sharp?

Come forse già saprete, nella scorsa settimana Foxconn, il produttore di componenti elettrici ed elettronici (fra i suoi Clienti anche Apple) di Taipei, ha rilevato la giapponese Sharp.


Quali sono i retroscena dell'operazione? È la prima volta che un colosso giapponese viene acquisita da una Società straniera. 

Il fondo Innovation Corp. Network of Japan, a cui partecipa anche lo stato nipponico, ha tentato di trattenere il colosso in patria, senza però riuscire a battere Foxconn che aveva messo sul piatto 650 miliardi di yen (5,25 miliardi di euro).

In poco più di tre anni Sharp è stata salvata due volte da interventi bancari, l'ultima volta a maggio 2015, con una ricapitalizzazione di 1,2 miliardi di dollari. Situazione insostenibile che ha indotto il board di Sharp a cedere alla corte serrata del colosso di Taiwan che ne controllerà così il 60% e diventerà sempre più cruciale nella filiera produttiva di Apple, a cui Sharp fornisce parte dei display, hardware attorno alla quale si svolgerà una battaglia di non poco conto nei prossimi anni.

Apple, Dell, HP e Nintendo sono alcune delle aziende che ricorrono agli stabilimenti Foxconn per la parziale fabbricazione e l’assemblaggio dei rispettivi prodotti.

Riuscire ad imporre la tecnologia Sharp permette a Foxconn di vestire i panni dell’azienda che vende hardware proprietario, quei display che garantiscono buoni margini di guadagno.

Dal 2019 sarà possibile cominciare la produzione di schermi Oled, riuscendo così a proporre ai clienti quelle tecnologie di cui si stanno dotando rivolgendosi a LG e Samsung, quest’ultima leader del comparto. Nel 2014 i display Samsung occupavano il 28,4% del mercato (Tv, smartphone e tablet). Foxconn potrà entrare in competizione con i due giganti coreani.

Con la tecnologia Sharp, Foxconn può produrre in casa i display di cui fino ad oggi si approvvigionava tramite fornitori terzi, aumentando così i margini. 
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